报告题目:自旋噪声谱测量技术及应用

报  告  人:姬扬, 中国科学院半导体研究所

报告时间:2018-01-18 16:00

报告地点:郑裕彤讲堂

报告摘要:传统的用于半导体自旋弛豫研究的光谱技术,比如Hanle效应、时间分辨光致荧光谱以及时间分辨Faraday/Kerr旋转谱等,在进行测量之前都需要利用一束圆偏振光对样品进行自旋极化。泵浦光会对测量带来影响,比如泵浦光对系统的热化以及光生空穴对电子自旋弛豫的影响等。自旋噪声谱技术可以有效的减小泵浦光的影响,它是利用一束线偏振光,在无自旋注入的情况下,通过测量系统中粒子的自旋涨落,来获得材料的自旋相关信息。目前,这一探测技术已广泛应用于低维半导体材料中[1]。我们自主搭建了自旋噪声谱测量系统,利用碱金属铷原子气体对该系统进行了验证[2]。然后,我们通过调节铷原子气室中缓冲气体的浓度,来实现均匀展宽与非均匀展宽系统,并研究了两种展宽系统中自旋噪声谱的差异,为两种展宽系统中的自旋噪声谱研究提供了一个很好的例证[3]。最后,我们将该技术应用于半导体材料中,利用自旋噪声谱研究了n-GaAs中杂质中心附近局域电子的自旋弛豫[4]。

参考文献:

[1] Sinitsyn N A, Pershin Y V. Reports on Progress in Physics, 79(10): 106501(2016).

[2] Jian Ma, Ping Shi, Xuan Qian, Wei Li and Yang Ji. Chin.Phys. B 25, 117203(2016).

[3] Jian Ma, Ping Shi, Xuan Qian, Yaxuan Shang and Yang Ji. Scientific Reports (under review).

[4] Jian Ma, Ping Shi, Xuan Qian, Yaxuan Shang and Yang Ji. Chin. Phys. Lett. 34(7): 077202.